标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.5A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：530pF @ 25V

功率 - 最大值：75W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：PG-TO263-3

其它名称：BUZ32 L3045ABUZ32 L3045A-NDBUZ32H3045AATMA1BUZ32H3045AINBUZ32L3045AINBUZ32L3045AIN-NDBUZ32L3045AXTSP000102174SP000736086